節能核心技術將獲國傢專項扶持 功率半導體產業進入黃金發展期
據中國半導體行業協會的相關人士透露，有關促進集成電路發展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協調。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中於集成電路的設計和制造方面，尤其是本土自主核心產業龍頭企業，功率半導體將迎來重要戰略機遇期和黃金發展期。功率半導體是節能減排的關鍵技術和基礎技術，被大量應用於消費類電子、新能源汽車、光伏發電、風電、工業控制和國防裝備。2013 年以來我國大部分地區霧霾天氣頻發，在這種背景下，大規模使用功率半導體來提高能源效率、促進節能減排，也成為半導體行業發展的重要方向。半導體功率器件的產品門類非常廣，主要包括功率MOS晶體管（Power MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、快恢復二極管（FRD），以及尚未得到大規模應用的采用SiC和GaN的新一代功率半導體。據矢野經濟研究所的統計，未來7年間，全球功率半導體銷售額的復合增長率三倍於整個半導體行業3%的營收增速。從國內的情況來看，隨著全球空調、節能電機等電子產品產能向國內轉移，功率半導體的需求也成倍的增加，僅IGBT產品的需求規模已經超過100億元，並且國內已經出現格力電器(000651,股吧)等消費IGBT模塊超過10億元的企業，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費市場。IGBT器件仍然嚴重依賴於國外公司，國產產品市場占有率不足10%。面對這種狀況，國內半導體企業關於IGBT的項目紛紛獲得政府補助，去年12月2日、23日，臺基股份(300046,股吧)的IGBT產業化項目連續獲得專項資金扶持，12月31日，士蘭微(600460,股吧)公告其“高壓IGBT芯片工藝技術開發及產業化”項目獲得國傢專項資金扶持。士蘭微在國傢科技重大專項（研發多芯片功率模塊）的支持下，已成功地完成瞭高壓MOSFET、600V-1200V IGBT、FRD、600V-1200V高壓驅動集成電路、功率模塊等新技術新產品的研發，相關的產品已陸續開始投入市場，展現瞭很好的市場前景。科陸電子(002121,股吧)作為智能電表行業的龍頭企業，積極拓展智能電網、節能減排和新能源等多個領域，已經成為節能減排領域的領先企業，也是發改委重點扶持的IGBT應用的重點探索企業。公司在2011年獲得科技部的專項資金用於碳化矽及矽基IGBT 多芯片串聯模塊研發和測試平臺的建立。華微電子(600360,股吧)自主研發的IGBT 產品以及改進後的可控矽產品，也取得瞭一定程度的市場進展，開發出一些較大應用客戶群。此外，第三代MOSFET 產品和TRENCH工藝平臺，在市場上得到瞭較高的認可度。（本報數據研究部 穆龔）
新聞來源http://news.hexun.com/2014-01-07/161205382.html
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